Architecture des systèmes et mémoire

📌 L'essentiel

• Support physique de la mémoire : DIP, SIPP, SIMM, DIMM, RDRAM.
• Organisation interne des cellules mémoire : lignes, colonnes, décodeurs.
• Types de mémoire : SRAM (rapide, sans rafraîchissement), DRAM (densité plus élevée, rafraîchissement requis), ROM, PROM.
• Signaux de contrôle : CS*, R/W*, OE*, CAS*, RAS*.
• Calcul de capacité mémoire : $C = 2^{k} \times n$ bits, où $k$ = nombre de lignes d'adresse, $n$ = longueur d’un mot.
• Parité mémoire : bit supplémentaire pour la détection d’erreurs.
• Techniques d’extension : addition de modules, augmentation de longueur de mots ou nombre de mots.
• Synchronisation et timing : cycles, délais ($t_{SS}$, $t_{SH}$, $t_{DOE}$, $t_{HZOE}$).
• Organisation physique : décodeurs lignes/colonnes, câblage, architecture mémoire.

📖 Concepts clés

Support physique : Ensemble de composants permettant d’accueillir la mémoire (DIP, SIMM, DIMM, RDRAM), avec configurations et brochages spécifiques.

Structure physique : Organisation des cellules, avec un nombre de lignes ($k$ bits d’adresses) et un nombre de bits par mot ($n$).

Types de mémoire :

• SRAM : mémoire statique, rapide, ne nécessite pas de rafraîchissement.
• DRAM : mémoire dynamique, dense, nécessite un rafraîchissement périodique.
• ROM : mémoire en lecture seule, non modifiable.
• PROM : mémoire programmable une seule fois.